三星电子研制出首款40纳米内存 2010年正式量产

三星电子近日研发出了世界首款40纳米1G DDR2 动态内存（1纳米等于十亿分之一米），预计2010年正式量产。

【IT商业新闻网讯】2月4日消息，三星电子近日研发出了世界首款40纳米1G DDR2 动态内存（1纳米等于十亿分之一米），预计2010年正式量产。

据了解，40纳米内存与目前普遍使用的50、60纳米内存相比，芯片面积更小，同时可以在低电低压的环境下运行。1.2V环境下运行的40纳米内存能够比50纳米1.5V内存减耗30%以上，从而为服务器等高耗能设备提供更加环保高效的能源解决方案。

三星电子同时透露，在2009年还将实现40纳米2G DDR3的研究和开发，该产品将比去年9月量产的50纳米2G DDR3生产效率提高约60%。（编辑：Kobe）

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