4月22日消息,韩国电子公司三星宣布,因英特尔推出5500系列Xeon服务器处理器,刺激需求增长,公司决定增加50奈米制程技术的DDR3 DRAM之产能。
DDR3是第三代的双倍数据率同步动态随机存取内存。三星和其它公司相信DDR3将在今年底前,成为DRAM技术产业的主流。然而有些分析师,包括Needham & Co. LLC的Edwin Mok等,则认为DDR3今年内,尚无法攻下太多市占率。
三星表示,OEM厂商能够为其DDR3设计容量达192GB的服务器,且耗电量较采用DDR2之机种少60%,系统效能也将高出两倍。
新认证的DDR3芯片,执行速度规格有每秒800、1066、1333兆位等。同时,相较于60 奈米制程技术的DDR3 DRAM,每秒1333兆位的芯片可以省下40%电力。 (编辑:王小凡)
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