北京时间8月12日早间消息，据国外媒体今日报道，英特尔和美光科技已经合作开发了一种“Three-bit-per-cell(每个单元可存储3位数据)”的全新NAND闪存技术，并表示使用这种技术的闪存芯片是业内效率最高的NAND产品。

　　目前几乎所有的闪存芯片都只能在每个单元中存储1位或2位数据，而存储3位数据的技术则可起到提高容量和降低成本的作用。

　　NAND芯片通常用于闪存卡和U盘等存储设备，存储器的访问方式类似于硬盘。英特尔上个月称，该公司正在向更加先进的34纳米制造工艺转型，来生产其基于NAND闪存技术的固态硬盘产品，这种产品将可帮助PC和笔记本厂商降低成本。英特尔和美光科技表示，两家公司将通过其合资企业从第四季度开始大规模生产这种芯片。

　　美光科技存储部门副总裁布赖恩·谢利(Brian Shirley)称，两家公司将“继续推动进一步缩小NAND芯片尺寸的进程”，并表示其认为每个单元可存储3位数据的NAND技术是“我们布局图中的重要组成部分”。（编辑：王小凡）

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本文标题：英特尔与美光科技开发出全新闪存技术

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