北京时间8月12日消息,据国外媒体报道,英特尔和美光科技公司(Micron Technology)今天宣布,双方已将当今最小的NAND芯片应用于消费存储设备中。
这个32Gb多层单元NAND闪存芯片采用34纳米生产工艺,每单元可储存3比特(3bpc)。 新产品由两家公司合资企业IM Flash Technology公司设计和生产,目标产品是闪存卡、USB驱动器和其它设备。
该芯片的样本产品已经推出,预计将于今年第四季度投入批量生产。双方计划未来引入更小的芯片。
英特尔副总裁兼NAND解决方案事业部总经理兰迪·威尔海姆(Randy Wilhelm)表示,走向3bpc技术,是英特尔和美光在34纳米NAND开发过程中突破性进展的又一个证明。(编辑:王小凡)
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本文标题:英特尔联手美光推最小NAND芯片 采用34纳米工艺
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