瑞晶20亿台币开发40纳米工艺尔必达派员协助

瑞晶总经理陈正坤、尔必达董事兼DRAM技术部长五味秀树共同召开记者会，尔必达将在瑞晶设立技术研发中心，包括力晶、尔必达等均会借派成员，进入该技术研发中心，估计2年的投资金额达5000万美元至8000万美元，合新台币约15亿元至20亿元。

1月6日消息，据台湾媒体报道，DRAM产业在工艺微缩竞争白热化，瑞晶与尔必达宣布，尔必达将在瑞晶设立研发中心，预计分2年投资15亿元至20亿元，共同开发下一代40nm4F2技术，瑞晶因此转战40纳米工艺，每片12寸晶圆产出将逾1200片。

据报道，瑞晶总经理陈正坤、尔必达董事兼DRAM技术部长五味秀树共同召开记者会，尔必达将在瑞晶设立技术研发中心，包括力晶、尔必达等均会借派成员，进入该技术研发中心，估计2年的投资金额达5000万美元至8000万美元，合新台币约15亿元至20亿元。

尔必达表示，未来有一半以上的产品会以40纳米为主，而该公司的40纳米工艺是历代微缩工艺中，最顺利的一代。

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