2月2日消息，据国外媒体报道，英特尔公司与美国美光科技（Micron）有望在近日合作推出全球首款25纳米的NAND闪存。
根据英特尔公司与美国美光科技对外发布的讯息，这种25纳米、容量达到8GB的NAND闪存正在处于抽样试验阶段，有望在2010年下半年投入大规模生产。
34纳米的NAND闪存技术已经于2008年问世，这次推出的25纳米的NAND闪存是世界上现今最小的NAND闪存，与2008年问世的NAND闪存相比在技术上已经有很大改进。
这种最新的处理芯片可以在单一的NAND设备上设置8GB的存储空间，而该设备的大小只有167平方毫米——面积大概与CD光盘中间的小圆洞差不多。这种NAND闪存可以应用在任何需要使用闪存的设备中，比如数码相机、MP3播放器以及固态存储磁盘等等。
有分析师在1月29日发布的分析报告中指出，芯片大小仅为167平方毫米，一个300毫米加工厂每个晶圆能够生产出400多个芯片。按照这一技术，每块芯片的成本大约是4美元左右，折合每GB容量的成本为0.5美元。
有分析人士表示：“去年NAND闪存的生产成本价格约为每GB 2美元，2010年的价格可能会继续维持在这样的水平，这意味着现在生产34纳米芯片的厂家能够获得更大的利润，因为他们现在的芯片生产成本大约为每GB 1美元。”
25纳米到底有多大呢？——美光科技负责内存产品研发的副总裁布赖恩·谢利（Brian Shirley）给出了这样的解释：“假设人类的一根头发有1英里宽，那么25纳米就相当于其中21英寸的宽度。”
与34纳米的闪存相比，25纳米的NAND闪存的集成性几乎是后者的两倍，但是两者的面积却几乎一样。25毫纳米的NAND闪存支持开放式NAND闪存接口——即2.2源同步接口，传输速度可以达到每秒200Mbit。
据悉，该25纳米的处理芯片将由IM Flash Technologies公司生产，该公司是英特尔与美光科技于2006年联合组建的一家合资企业。
尽管两家公司还没有将25纳米NAND闪存的更多细节公布于世，但是谢利表示：“NAND闪存还有很大的技术发展空间，未来一定会有更多体积更小、技术更先进的芯片问世。”
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