北京时间2月2日消息，据国外媒体报道，三星电子周一表示该公司研制出全球首个30纳米DRAM（动态随机存储记忆体）芯片。该芯片的容量为2GB。三星将于今年下半年开始大规模生产。
三星表示，比起现有的40纳米DRAM技术，新技术可以将生产效率提高60%。
同时，30纳米DRAM芯片也更加环保。这种芯片的功耗只相当于40纳米DRAM芯片的85%。
去年1月，三星开发出40纳米DRAM芯片，并从去年7月份开始大规模生产。三星预计该公司在30纳米DRAM芯片技术上比其他芯片制造商要领先一年。
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本文标题：三星研制出全球首个30纳米DRAM芯片
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