英特尔三星东芝研发10纳米技术 2016年有望线宽减半

作者:IT新闻网 来源:IT新闻网 2011-12-30 13:40:58 阅读 我要评论 直达商品

报道指出,三家公司有意组建一家新集团,同时广邀约10家半导体材料和相关领域的公司加盟,可能在2016年前将半导体线宽缩减逾半至接近10纳米。  精彩推荐

北京时间10月29日消息,据路透社引述日经新闻报道指出,英特尔、东芝及三星电子将携手共同研发10纳米技术,初期研发资金约100亿日元(约合8.2648亿元人民币)。

报道指出,三家公司有意组建一家新集团,同时广邀约10家半导体材料和相关领域的公司加盟,可能在2016年前将半导体线宽缩减逾半至接近10纳米。

新集团的初步研发资金约为100亿日元,日本经济产业省可能会提供约50亿日元,其余资金则由集团成员出资。

据称,东芝和三星计划运用该技术生产10纳米制程的NAND闪存记忆体等芯片,英特尔则可能用来发展更快速的微处理器。

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