移动DRAM芯片兴起 DDR3每片晶圆位产能约降20%

作者:IT新闻网 来源:IT新闻网 2011-12-30 10:07:18 阅读 我要评论 直达商品

受台湾DRAM芯片供货量的降低以及业界主要DRAM厂商将重点转向移动DRAM芯片(Mobile DRAM)生产的影响,预期今(2011)年下半年的DRAM将出现短缺情况,移动DRAM芯片的兴起使得用于DDR3芯片的每片晶圆位产能降低大约 20%。

北京时间3月11日消息,据国外媒体报道,Raymond James & Associates公司分析师Hans Mosesmann发表研究报告指出,受台湾DRAM芯片供货量的降低以及业界主要DRAM厂商将重点转向移动DRAM芯片(Mobile DRAM)生产的影响,预期今(2011)年下半年的DRAM将出现短缺情况,移动DRAM芯片的兴起使得用于DDR3芯片的每片晶圆位产能降低大约 20%。DRAM芯片市场近一段时间表现低迷,需求降低,价格也大幅下滑。

Mosesmann指出,依据美光(Micron科技公司)本周在股东大会的说法,DRAM的供需状况已逐渐转佳,虽然的NAND型快闪记忆体的市况仍较难预测,但目前的定价与库存趋势仍令人振奋。

据相关媒体报导,Sterne Agee的证券分析师维杰拉克什3月8日指出,美光的台湾竞争对手因缺乏适当的DRAM浸润微缩技术而导致制造成本居高不下的DRAM供应商减少的结果使得报价得以持稳。Hans Mosesmann称,鉴于现在零售渠道的DRAM芯片存货较低以及业界对于下半年产品供应的担忧,DRAM芯片的期货价格将在3月份继续小幅上升。他补充说,美光认为今年的DRAM按位供货量将同比上涨45%,而我们则预计DRAM按位供货量将同比下降50%。服务器DRAM市场也同样会被拉动,英特尔 Romley处理器所搭配的系统内存容量将是前代产品的2-3倍。


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