英特尔推三维晶体管可将芯片性能提高37%

据国外媒体报道，英特尔周三推出了一款三维晶体管，据说可以让芯片在保持高性能的前提下减少能耗。这种三维晶体管Tri-Gate可以在低电压条件下将性能提升37%。

北京时间5月5日消息，据国外媒体报道，英特尔周三推出了一款三维晶体管，据说可以让芯片在保持高性能的前提下减少能耗。

英特尔在旧金山召开新闻发布会表示，它将在转向22纳米制造工艺时采用这项新芯片技术。消息发布之后，英特尔股票上涨2%，报收于每股23.50美元。该股是道琼斯工业平均指数指标股中今日涨幅最大的股票。

英特尔将这种新的三维晶体管称作Tri-Gate，它将在一款名为Ivy Bridge的新芯片产品中投入量产。

英特尔表示，与32纳米的平面晶体管相比，22纳米的三维晶体管Tri-Gate可以在低电压条件下将性能提升37%。

英特尔称，这项技术非常适用于小型便携设备。英特尔一直在努力加强它在移动计算领域的地位，它在这个领域的最大竞争对手是ARM。

英特尔周三还在各种计算设备中展示了Ivy Bridge芯片。

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