三星宣布20纳米级NAND闪存正式量产

9月22日消息，三星电子今日在韩国总部庆祝了自己的16号半导体生产线竣工投产，这样三星20纳米级的NAND闪存正是实现量产。三星宣布到今年末为止，三星将按照NAND闪存的需求，逐渐增加12英寸晶圆的生产规模，明年计划量产10纳米级大容量高速闪存。

9月22日消息，三星电子今日在韩国总部庆祝了自己的16号半导体生产线竣工投产，这样三星20纳米级的NAND闪存正是实现量产。

目前该生产线每月生产量将达到1万片以上。三星电子16号生产线去年5月开工，今年6月开始产品测试，8月完成量产系统。

三星宣布到今年末为止，三星将按照NAND闪存的需求，逐渐增加12英寸晶圆的生产规模，明年计划量产10纳米级大容量高速闪存。

同时，三星宣布本月将实现20纳米级DDR3内存的量产，并计划研发20纳米级4Gb DDR3内存。

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