传三星东芝减缓闪存扩张速度避免重蹈内存覆辙

业内消息来源称，NAND闪存主要供应商韩国三星电子和日本东芝正在制定计划以减缓12英寸晶圆厂产能扩张的速度，防止NAND闪存价格像DRAM一样跌入无底洞。

台湾《电子时报》报道，业内消息来源称，NAND闪存主要供应商韩国三星电子和日本东芝正在制定计划以减缓12英寸晶圆厂产能扩张的速度，防止NAND闪存价格像DRAM一样跌入无底洞。

目前三星和东芝的闪存制程正在由21nm向19nm过渡，随着制程的进步单个晶圆可切割的芯片也越来越多。消息来源表示，由于需求量有限，NAND闪存产品如SSD和U盘成品目前正陷入供过于求的状态售价接连下跌。

消息来源指出，三星和东芝目前最可能采取的手段是推迟计划中12英寸晶圆厂扩建的速度。因Ultrabook和SSD的需求在2012年不尽如人意，预计NAND闪存芯片价格将会持续疲软。但另一阵营的闪存大厂Intel与美光（Micron）联合即IMFT目前尚看不到采取措施的迹象。

在中国大陆市场，NAND闪存的价格在六月趋于稳定但终端市场产品仍然维持下降趋势，分析人士认为售价趋稳是由于三星降低了对内地渠道批发商的供货数量。

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