韩联社首尔1月4日电 知识经济部4日表示，已经受理了三星电子提交的要求在中国设立10纳米级闪存(NAND Flash)工厂的申请。
知识经济部表示，三星电子上月6日提交了相关申请。之后，电子电器方面的产业技术保护专业委员会举行了两次会议审查了三星在中国设立工厂的必要性和技术泄漏的可能性等问题，最终做出了同意决定。
但是，为防止国家核心技术非法泄漏，三星电子将制定和执行技术保护对策，并定期对保护情况进行评估。
据此，三星电子将推动获得中国政府的设厂许可并开始工厂选址工作，争取在明年投产。
知识经济部当天还要求三星制定补充对策，减少此次对中国投资可能给国内经济带来的负面影响。三星电子则承诺继续扩大在韩国国内的半导体投资。
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本文标题：韩国三星电子在中国设立10纳米级闪存厂
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