[中国家电网讯]7月21日消息，三星电子有关负责人今日表示，从本月起开始，该公司30纳米级DRAM内存芯片将开始批量生产。

　　据介绍，这是三星电子在世界上首次成功研发的30纳米级2千兆字节DDR3 DRAM内存芯片。30纳米级别是指，半导体元件基板电路间的连线宽度为30纳米，这与40纳米或50纳米级别相比，能在同样的空间容纳更多的电路。此外，生产效率比40纳米DRAM内存芯片率提高了60%;成本竞争力比50纳米和60纳米DRAM内存芯片提高了两倍以上。

　　DDR是1997年三星电子公司首推、并成为业界标准的技术，DRAM作为半导体记忆芯片，用于电脑等大容量存储设备，而30纳米级DDR3 DRAM的数据处理速度最高达2133Mbps，处理速度分别比过去的DDR3 DRAM和DDR2 DRAM提高1.6倍和3.5倍 。

　　同时，30纳米级DDR3 DRAM的设计符合大容量内存芯片，因此耗电量与50纳米和40纳米DRAM内存芯片相比，分别减少了30%和15%以上。

　　三星电子有关负责人称：“我们计划凭借环保型内存芯片30纳米级DDR3 DRAM，给我们的顾客提供最佳解决方案。”

　　三星还计划在年内开始批量生产30纳米级4千兆字节DDR3 DRAM内存芯片，由此巩固全球30纳米级DRAM市场上的领先地位。

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本文标题：三星将量产世界首款30纳米级DRAM内存芯片

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