与其它芯片一样，出于更低的制造成本和功耗的考虑，闪存的尺寸(工艺制程)也在不断地缩小。不过，虽然这么做有助于减少每GB的存储成本，但是负面效应也很明显——那就是更容易出错。LSI SandForce已经介绍了其新一代闪存纠错方案的细节，该技术名为SHIELD，将内置到该公司下一代的SSD控制器中。在加州圣克拉拉的闪存峰会(Flash Memory Summit)上，SandForce揭开了这项全新的技术，目的是延长采用了更小光刻工艺的NAND闪存的寿命。

LSI SandForce开发的SHIELD技术，即通过多层次进行纠错。底层为简单的"硬件级"奇偶校验，亦称HLDPC，适用于读取请求。HLDPC的低开销特性不至于影响性能，但无法全面捕捉所有的错误。

在HLDPC之上，还有5个层级的"软"校验。SLDPC层采用了先进的噪声和信号处理机制，不过每一层都会增加更多的延迟。但SHIELD只会在驱动器有需要的时候才会介入，并确定适当的纠错层级。至于具体的参数，LSI尚未披露。

如果到了SLDPC的第五次，错误仍在传播，那么这事件就会被称作RAISE。这是一个类似RAID的冗余方案，与SandForce在当前的控制器上所部属的类似，但它会增加10毫秒的延迟。LSI表示，因为需要额外的处理时间，所以如非必要，最后一级纠错会谨慎使用。

据报道新的芯片将在今年3季度送往厂家进行样产，因此配备了SHIELD技术的LSI SandForce产品预计会在年底面世。

[编译自：TechSpot]

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本文标题：[图]LSI SandForce公布SHIELD闪存纠错技术的细节

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