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工业和信息化部电信研究院通信信息所副总工胡珊表示，截止到2012年8月，LTE全球用户总占比只有0.5%，但明显超越了3G商用初期的发展水平。终端、特别是智能终端是LTE发展很重要的因素。

在日前召开的“新一代宽带无线移动通信发展论坛”上，工业和信息化部电信研究院通信信息所副总工胡珊表示，截止到2012年8月，LTE全球用户总占比只有0.5%，但明显超越了3G商用初期的发展水平。

“LTE只用三年半的时间实现了2000万用户的规模，这个速度是远远快于2G和3G水平的。” 胡珊说。

在胡珊看来，LTE的快速成熟与系统设备和终端的快速成熟都是香港的。首先是系统设备，“系统设备最主要的特点就是多制式共平台基站已经成为业界现实。现在很多基站都可以同时支持2G、3G和LTE多标准基站，现有的基站基础上也可以进行LTE的部署。”

终端、特别是智能终端是LTE发展很重要的因素。“因为相对于3G技术而言LTE对于终端芯片处理能力和功耗控制能力要求非常高，所以说对终端芯片无论是材料、工艺方面要求非常高。”

现在普遍采用的是40纳米芯片的工艺处理能，这是可以支持数据卡终端使用的。但是现在用40纳米的芯片工艺来看，功耗还是比较大的。现在又出现了28纳米芯片的可能，它会有效解决功耗的问题。

但是现阶段只有高通公司可以小批量提供商用产品，现在商用产品价位是17、18美金左右，这个价位很难实现规模商用，降到7、8美金可能能实现规模商用，这个在未来一到两年会出现规模量产。

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