中移动预计全球TD-LTE基站明年底将达3万个

作者: 来源:IT新闻网 2012-12-29 04:13:47 阅读 我要评论 直达商品

瑞士日内瓦时间10月25日晚间消息,在出席由国际电信联盟主办的“2011年世界通信展”时,中国移动透露,预计2011年年底,TD-LTE的基站数量将达到6500个左右,2012年年底将达到30000个左右。

瑞士日内瓦时间10月25日晚间消息,在出席由国际电信联盟主办的“2011年世界通信展”时,中国移动透露,预计2011年年底,TD-LTE的基站数量将达到6500个左右,2012年年底将达到30000个左右。

全球32家运营商加入TD-LTE阵营

“在ITU展上,大家很容易看到,不仅是中国在做TD-LTE,而且是全球都在做”,中国移动董事长王建宙如此说。

中国移动透露,TD-LTE在全球推广已经取得了显著的成效。2011年2月,中移动联合7家运营商发起成立了TD-LTE全球发展倡议(GTI),目前GTI已吸纳了32家运营商。

据悉,截至目前,全球已有2家运营商正式启动了TD-LTE商用服务,10家运营商制定了TD-LTE的商用计划。预计2011年年底,TD-LTE的基站数量将达到6500个左右,2012年年底将达到30000个左右。

大唐电信集团旗下的大唐移动也介绍说,大唐移动也在与比利时、日本、韩国、老挝、喀麦隆、缅甸等国家运营商分别在TD-SCDMA与TD-LTE展开合作。

终端芯片进展顺利

据悉,作为中国主导的国际化标准,TD-LTE目前已赢得了国际产业界的广泛支持,已具备较成熟的端到端产品。

中国移动市场部副总经理赵芳介绍说,在TD-LTE系统设备上,已经研发出大规模基带池系统,可以最大支持180 个TD-LTE载波或者1700 个TD-SCDMA载波。而世界上第一套基于IT平台可同时支持GSM/TD-S/TD-LTE的系统也已出炉,其可在IT平台上实现难度较大的TD-LTE的实时处理。

联芯科技透露,其已研发成功业内首款TD-LTE/TD-HSPA双模基带处理器芯片,目前采用65纳米工艺,基于该芯片及方案的数据卡产品正在参加工信部和中移动的LTE规模实验测试,进展非常顺利。明年第二季度发布40纳米LTE芯片,可支持TD-LTE/FDD LTE/TD-SCDMA/GGE多模自动切换,支持下行150兆/秒,上行50兆/秒的数据吞吐率

而在终端方面,中国移动已联合手机厂商推出全球首款TD-LTE+TD-SCDMA/GSM多模双待单卡智能手机。


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