但专家同时指出,网络覆盖只是第一步,鉴于芯片和终端瓶颈尚未完全突破,消费者真正享用移动终端的高速体验,可能还需要一段时间。
TD-LTE“全球之旅”如火如荼
T D -LT E是我国具有自主知识产权的3G技术T D-SC D M A的后续演进技术,具有无线、宽带和移动的特点,去年10月被国际电信联盟确立为三大国际4G标准之一。另外两大标准是美国主导的W iM A X和欧洲主导的FD D -LT E。和局限于中国的T D -SCD M A不同,T D -LT E正在获得更多全球运营商的支持。
中国移动预计,到2011年年底T D -LT E的基站数量将达到6500个左右,2012年年底将达到三万个左右。
高华证券研究认为,T D -LT E凭借与3G的互通性、高数据容量以及对FD D -LT E生态系统的利用,正在成为全球非成对频谱通讯解决方案。目前已有12家运营商表示计划应用T D -LT E。
芯片终端瓶颈有待进一步突破
芯片和终端的成熟是无线通信产业链发展的先决条件。前期制约T D -LT E产业成熟的关键因素就是芯片瓶颈,不过随着一些有实力厂家的积极介入,T D -L T E与FD D -LT E在芯片及终端的成熟度上差距逐步缩小。
易观商业解决方案公司IT业务中心咨询总监吕永昌告诉记者,虽然T D -L T E获得了不少企业的积极介入,但其整体水平依然不够理想。频谱过于分散意味着用户要实现较好的漫游服务,就要求芯片和终端必须能够支持多个频段。而多频段会带来产品耗电量提升,芯片尺寸过大、成本过高等问题,且目前可选的LT E智能手机范围很少。
工信部电信研究院副总工程师王志勤也表示,终端是T D -LT E商用初期最大的瓶颈,且一开始大多为数据卡,之后才会逐步转向手机。 上一页1 2 下一页
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本文标题:TD -LTE芯片终端瓶颈有待进一步突破
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